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산화 vs 증착의 차이
산화(Oxidation) : 온도/Gas를 이용하여 Film을 Grow 시킴
Si/SiO2 interface ≠ Origial Si surface
증착(Depositon) : 온도/Gas/압력을 이용하여 새로운 Film을 쌓음
Si/SiO2 interface = Origial Si surface
산화 공정은 오리지널 실리콘을 깎아먹으며 새로운 film을 만들게 되어 반드시 Si이 필요하고,
증착 공정은 오리지널 실리콘 위에 새로운 film을 쌓아서 만든다.
SiO2 특징 및 용도
Silicon Oxide의 유전상수(Dielectric Constant)는 3.8~3.9이다. 이 수치는 저유전 물질과 고유전 물질의 기준이 되는 정도로, 캐패시터로서는 크지만 절연체로서는 작다.
Breakdown Strength는 10MV/cm 이상으로 지금까지 밝혀진 모든 물질 중 가장 큰 수준이다. 전기에 가장 강한 물질이라는 뜻이다.
반도체에서의 SiO2는 다양한 용도로 쓰인다.
- Silicon 표면 보호 역할 (Surface Passivation)
- 불순물 확산 방지 역할 (산화막 내에서는 불순물의 확산 속도가 느림)
- Gate 절연막
- Ion Implant Mask
- 소자 사이 절연 역할 (Isolation)
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