반응형 반도체3 [반도체공정] 산화 증착 차이 (Oxidation, Deposition) / SiO2 특징 및 용도 산화 vs 증착의 차이 산화(Oxidation) : 온도/Gas를 이용하여 Film을 Grow 시킴 Si/SiO2 interface ≠ Origial Si surface 증착(Depositon) : 온도/Gas/압력을 이용하여 새로운 Film을 쌓음 Si/SiO2 interface = Origial Si surface 산화 공정은 오리지널 실리콘을 깎아먹으며 새로운 film을 만들게 되어 반드시 Si이 필요하고, 증착 공정은 오리지널 실리콘 위에 새로운 film을 쌓아서 만든다. SiO2 특징 및 용도 Silicon Oxide의 유전상수(Dielectric Constant)는 3.8~3.9이다. 이 수치는 저유전 물질과 고유전 물질의 기준이 되는 정도로, 캐패시터로서는 크지만 절연체로서는 작다. Brea.. 2023. 4. 8. Cubic lattices : SC, BCC, FCC Cubic lattices 1) simple cubic (sc) 2) body centered cubic (bcc) 3) face centered cubic (fcc) 2022. 11. 3. 옴의 법칙(Ohm’s law), 전기 전도도(conductivity) 재료의 전기적 특성의 핵심 = 얼마나 전류를 잘 통할 수 있느냐! 옴의 법칙 (Ohm’s law) 전류(I), 즉 단위 시간에 통과하는 전하량과 인가 전압 V의 관계를 나타내며, 관계식은 다음과 같다. V=IR 여기서 R은 전류가 흘러가는 재료의 저항이다. 단위 V의 단위 : [V] = J/C I의 단위 : [A] = C/s R의 단위 : [Ω] = V/A R의 값은 재료의 모양에 따라 달라지며, 많은 재료의 경우 전류에 무관하다. 비저항(resistivity, ρ)는 모양에 무관하며 재료 고유의 값을 나타내는데 R과의 관계는 다음과 같다. ‘비’저항이 ‘아닐 비’자를 쓴다고 생각하면 저항에 반대되는 개념으로 받아들이기 쉬운데 사실은 ‘비율’할 때 比(견줄 비)자를 쓴다. 즉, 물체의 저항값을 대표한다고.. 2020. 7. 12. 이전 1 다음 반응형
