반응형 산화증착차이1 [반도체공정] 산화 증착 차이 (Oxidation, Deposition) / SiO2 특징 및 용도 산화 vs 증착의 차이 산화(Oxidation) : 온도/Gas를 이용하여 Film을 Grow 시킴 Si/SiO2 interface ≠ Origial Si surface 증착(Depositon) : 온도/Gas/압력을 이용하여 새로운 Film을 쌓음 Si/SiO2 interface = Origial Si surface 산화 공정은 오리지널 실리콘을 깎아먹으며 새로운 film을 만들게 되어 반드시 Si이 필요하고, 증착 공정은 오리지널 실리콘 위에 새로운 film을 쌓아서 만든다. SiO2 특징 및 용도 Silicon Oxide의 유전상수(Dielectric Constant)는 3.8~3.9이다. 이 수치는 저유전 물질과 고유전 물질의 기준이 되는 정도로, 캐패시터로서는 크지만 절연체로서는 작다. Brea.. 2023. 4. 8. 이전 1 다음 반응형
